STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-varenummer:
- 168-7516
- Producentens varenummer:
- STP60NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 327,20
(ekskl. moms)
Kr. 409,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 550 enhed(er) afsendes fra 30. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,544 | Kr. 327,20 |
| 100 - 450 | Kr. 5,083 | Kr. 254,15 |
| 500 - 950 | Kr. 4,566 | Kr. 228,30 |
| 1000 - 4950 | Kr. 4,509 | Kr. 225,45 |
| 5000 + | Kr. 4,455 | Kr. 222,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7516
- Producentens varenummer:
- STP60NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | STripFET II | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 104nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie STripFET II | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 104nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 80 A 55 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 38 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II