STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5 Nej
- RS-varenummer:
- 168-7568
- Producentens varenummer:
- STF12N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 511,35
(ekskl. moms)
Kr. 639,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 10,227 | Kr. 511,35 |
| 100 - 450 | Kr. 9,96 | Kr. 498,00 |
| 500 + | Kr. 9,715 | Kr. 485,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7568
- Producentens varenummer:
- STF12N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 430mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 16.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 430mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 16.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 8 3 ben MDmesh M5 STF12N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 650 V TO-220FP, MDmesh M5 STF16N65M5
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 650 V TO-220FP, MDmesh STF24NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 650 V TO-220FP, MDmesh M2 STF12N65M2
- STMicroelectronics N-Kanal 7 3 ben MDmesh M2 STF10N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 18 A 650 V TO-220FP, MDmesh M2 STF24N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 21 A 650 V TO-220FP, MDmesh DM2 STF28N60DM2
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 650 V TO-220FP, MDmesh M2 STF18N60M2
