STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 168-7568
- Producentens varenummer:
- STF12N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme 2%
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 632,80
(ekskl. moms)
Kr. 791,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 12,656 | Kr. 632,80 | - |
| 250 - 450 | Kr. 12,341 | Kr. 617,05 | 2% |
| 500 + | Kr. 11,998 | Kr. 599,90 | 5% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7568
- Producentens varenummer:
- STF12N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 430mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 16.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 430mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 16.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 8.5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 69 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M5