STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- RS-varenummer:
- 168-7579
- Producentens varenummer:
- STF7NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 489,20
(ekskl. moms)
Kr. 611,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,784 | Kr. 489,20 |
| 100 - 450 | Kr. 7,64 | Kr. 382,00 |
| 500 - 950 | Kr. 6,487 | Kr. 324,35 |
| 1000 - 4950 | Kr. 5,411 | Kr. 270,55 |
| 5000 + | Kr. 5,088 | Kr. 254,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7579
- Producentens varenummer:
- STF7NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 16.4mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 16.4mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6.5 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh M2