Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, TK Nej TK46A08N1,S4X(S
- RS-varenummer:
- 168-7984
- Producentens varenummer:
- TK46A08N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 311,55
(ekskl. moms)
Kr. 389,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 6,231 | Kr. 311,55 |
| 250 - 950 | Kr. 5,61 | Kr. 280,50 |
| 1000 - 2450 | Kr. 5,196 | Kr. 259,80 |
| 2500 + | Kr. 5,065 | Kr. 253,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7984
- Producentens varenummer:
- TK46A08N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.5 mm | |
| Længde | 10mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie TK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.5 mm | ||
Længde 10mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 46 A 80 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 72 A 80 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 52 A 100 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 263 A 60 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 30 A 60 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 60 A 120 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 58 A 60 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 10 A 800 V TO-220SISS4X(S
