STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2 Nej
- RS-varenummer:
- 168-8937
- Producentens varenummer:
- STF12N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 337,05
(ekskl. moms)
Kr. 421,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,741 | Kr. 337,05 |
| 100 + | Kr. 6,404 | Kr. 320,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-8937
- Producentens varenummer:
- STF12N60M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 16.4mm | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 16.4mm | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh™ M2 serien, STMicroelectronics
Et udvalg af højspændings power MOSFET fra STMicroelecronics. Med deres lave gate-ladning og fremragende udgangsegenskaber, er MDmesh M2 serien perfekt til brug i resonante switching strømforsyninger (LLC konvertere).
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 9 A 600 V TO-220FP, MDmesh M2 STF12N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V TO-220FP, MDmesh M2 STF16N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 650 V TO-220FP, MDmesh M2 STF12N65M2
- STMicroelectronics N-Kanal 7 3 ben MDmesh M2 STF10N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 18 A 650 V TO-220FP, MDmesh M2 STF24N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 650 V TO-220FP, MDmesh M2 STF18N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 650 V TO-220FP, MDmesh M2 STF7N60M2
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V TO-220FP, MDmesh STP20NM60FP
