DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 21 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PDI3333, DMC3016LDV
- RS-varenummer:
- 168-9545
- Producentens varenummer:
- DMC3016LDV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 3.672,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.590,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 1,836 | Kr. 3.672,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-9545
- Producentens varenummer:
- DMC3016LDV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMC3016LDV | |
| Emballagetype | PDI3333 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 38mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 3.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.15mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMC3016LDV | ||
Emballagetype PDI3333 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 38mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 3.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.15mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN