Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 140 mA 250 V Forbedring, 3 Ben, SC-59, BSR92P AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 170-2249
- Producentens varenummer:
- BSR92PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 3.177,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.972,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 1,059 | Kr. 3.177,00 |
| 6000 - 6000 | Kr. 1,006 | Kr. 3.018,00 |
| 9000 + | Kr. 0,943 | Kr. 2.829,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-2249
- Producentens varenummer:
- BSR92PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 140mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Serie | BSR92P | |
| Emballagetype | SC-59 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.6 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 140mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Serie BSR92P | ||
Emballagetype SC-59 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.6 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Alle produkter i små signalhuse er velegnet til brug i biler
Infineons meget innovative OptiMOS™-familier omfatter p-kanal power MOSFETer. Disse produkter opfylder konsekvent de højeste kvalitets og ydeevnekrav i nøglespecifikationer for systemdesign som f.eks. on-state-modstand og Figure of Merit-egenskaber
Enhancement mode
Blyfri forgyldning
Anvendelsesområder:
Til brug i biler
Forbruger
DC-DC
eMobility
Motorstyring
Bærbar computer
Indbygget lader
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 140 mA 250 V Forbedring SC-59, BSR92P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 360 mA 100 V Forbedring SC-59, BSR316P AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 3.8 A 20 V Forbedring PG-SC-59, BSR202N AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 620 mA 60 V Forbedring SC-59, SIPMOS
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.7 A 20 V Forbedring SC-59, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 700 mA 30 V Forbedring SC-59, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 70 mA 600 V Forbedring SC-59, BSS127 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 11 A 12 V Forbedring SC-59, DMN AEC-Q101
