Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 150 V Forbedring, 4 Ben, TO-220, IPP075N15N3 G
- RS-varenummer:
- 170-2269
- Producentens varenummer:
- IPP075N15N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 960,45
(ekskl. moms)
Kr. 1.200,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 19,209 | Kr. 960,45 |
| 100 - 200 | Kr. 18,248 | Kr. 912,40 |
| 250 + | Kr. 16,426 | Kr. 821,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-2269
- Producentens varenummer:
- IPP075N15N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP075N15N3 G | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 11.17mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP075N15N3 G | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 11.17mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
150 V OptiMOS™ opnår en reduktion i R DS(on) på 40 % og 45 % i Figure of Merit (FOM) sammenlignet med næstbedste konkurrent. Denne drastiske forbedring åbner nye muligheder som at gå fra blyhuse til SMD-huse eller effektiv udskiftning af to ældre dele med én OptiMOS™-del.
Oversigt over funktioner:
Fremragende skifteevne
Verdens laveste R DS(on)
Meget lav Q g og Q gd
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Halogenfri
Fordele:
Miljøvenlig
Øget effektivitet
Højeste effekttæthed
Mindre parallelisering nødvendig
Mindste strømforbrug på kortplads
Produkter der er lette at designe
Anvendelsesområder:
Synkron ensretning for AC-DC SMPS
Motorstyring til 48V-80V systemer (dvs. private køretøjer, lastbiler)
Isolerede DC/DC-konvertere (telekommunikations- og datakommunikationssystemer)
Or-ing kontakter og automatsikringer i 48 V-systemer
Class D audioforstærkere
Nødstrømsforsyninger (UPS)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 150 V Forbedring TO-220, IPP075N15N3 G
- Infineon Type N-Kanal 35 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 85 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 150 A 30 V Forbedring TO-220, HEXFET