Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,2 A 100 V, 3 + Tab ben, SOT-223, IRFL4310PbF IRFL4310TRPBF

Infineons dual power MOSFET'er integrerer to HEXFET® enheder for at give en pladsbesparende og lønsom koblingsløsning med høj komponenttæthed til konstruktioner, hvor kortets størrelse er afgørende. Et udvalg af kapslinger er tilgængelige og designere kan vælge dual N-kanal-konfigurationen.

Femtegenerations HEXFET'er fra International Rectifier udnytter avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand i tændt tilstand i forhold til siliciumareal. Denne fordel giver i kombination med den høje skiftehastighed og det robuste design, som HEXFET effekt-MOSFET'er er kendt for, designeren en ekstremt effektiv og driftssikker enhed til brug i en bred vifte af anvendelser. SOT-223 huset er designet til overflademontering ved hjælp af dampfase, infrarød eller bølgeloddeteknikker. Det unikke husdesign muliggør ubesværet automatisk pick-and-place som med andre SOT- og SOIC-huse, men byder derudover på forbedret temperatureffektivitet takket være en større flig til montering på kølelegeme. Effekttab på 1,0 W er muligt i typiske anvendelser med overflademontering.

Fordele:
Lav RDS(on)
Dynamisk dv/dt-normering
Hurtigt skift
175 °C driftstemperatur

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.