Infineon P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V, 3 ben, DPAK (TO-252), IRFR5305PBF IRFR5305TRLPBF

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

Infineon IRFR5305 er den 55 V 1-kanals HEXFET effekt MOSFET i et D-Pak hus. D-Pak er designet til overflademontering ved hjælp af dampfase, infrarød eller bølgelodningsteknikker.

Advanced Process
Hurtigt skift
Fuldt lavinenominel
Blyfri

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.