Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TSON
- RS-varenummer:
- 171-2385
- Producentens varenummer:
- TPN14006NH,L1Q(M
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 45,85
(ekskl. moms)
Kr. 57,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 4,585 | Kr. 45,85 |
| 50 - 90 | Kr. 3,733 | Kr. 37,33 |
| 100 - 990 | Kr. 3,373 | Kr. 33,73 |
| 1000 - 2990 | Kr. 3,306 | Kr. 33,06 |
| 3000 + | Kr. 3,216 | Kr. 32,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-2385
- Producentens varenummer:
- TPN14006NH,L1Q(M
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.1mm | |
| Højde | 0.85mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.1mm | ||
Højde 0.85mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Skiftespændingsregulatorer
Motordrivere
DC/DC-konvertere
Højhastighedskobling
Lille gate-opladning: QSW = 5,5 nC (typ.)
Lav drain-source on-modstand: RDS(ON) = 11 mΩ (typ.)
Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 60 V)
Optimeret tilstand: Vth = 2,0 til 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 65 A 60 V Forbedring TSON
- Toshiba Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring SOP, TPH1R306PL
- Toshiba Type N-Kanal 92 A 40 V Forbedring TSON
- Toshiba Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TSON
- Toshiba 1 Type N-Kanal Enkelt 8 Ben U-MOSVIII-H
- Toshiba Type N-Kanal 22 A 80 V Forbedring TSON, U-MOSVIII-H
- Toshiba Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring SOP, TPHR8504PL
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, TK