Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TSON Nej TPN14006NH,L1Q(M

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 36,02

(ekskl. moms)

Kr. 45,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.790 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 3,602Kr. 36,02

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2385
Producentens varenummer:
TPN14006NH,L1Q(M
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

65A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

41mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

30W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.1mm

Højde

0.85mm

Bredde

3.1 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Skiftespændingsregulatorer

Motordrivere

DC/DC-konvertere

Højhastighedskobling

Lille gate-opladning: QSW = 5,5 nC (typ.)

Lav drain-source on-modstand: RDS(ON) = 11 mΩ (typ.)

Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 60 V)

Optimeret tilstand: Vth = 2,0 til 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

Relaterede links