ROHM 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 2 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TSMT, QH8K51

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
172-0345
Producentens varenummer:
QH8K51TR
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TSMT

Serie

QH8K51

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

355mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.7nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

2.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.1mm

Højde

0.8mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

QH8K51 er MOSFET med lav modstand ved tændt til omskiftning.

Lav modstand ved tændt.

Lille hus til overflademontering (TSMT8).

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.