ROHM 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 1 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSMT Nej
- RS-varenummer:
- 168-2133
- Producentens varenummer:
- QS6K1TR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 60,75
(ekskl. moms)
Kr. 76,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 50 | Kr. 2,43 | Kr. 60,75 |
| 75 - 125 | Kr. 2,238 | Kr. 55,95 |
| 150 + | Kr. 1,972 | Kr. 49,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-2133
- Producentens varenummer:
- QS6K1TR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 238mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3mm | |
| Bredde | 1.8 mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 238mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3mm | ||
Bredde 1.8 mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MOSFET'er (N+N) af kompleks type er fremstillet som enheder med lav modstand ved tændt af mikro-procesteknologier og er nyttige til et bredt udvalg af anvendelser. Det brede produktsortiment dækker kompakte typer, højeffekts-typer og komplekse typer for at opfylde forskellige behov på markedet.
2,5 Ｖ-drevtype
N-kanals mellemeffekts MOSFET
Hurtig koblingshastighed
Lille hus til overflademontering
Blyfri
Anvendelsesområder:
Bærbar dataterminal
Møntbearbejdningsmaskiner
Digitalt multimeter: Handy type
Motorstyring: Børsteløs DC
PLC (Programmable Logic Controller)
AC-servo
Netværkstilsluttet lagring
DVR/DVS
Motorstyring: Stepmotor
Motorstyring: Børste DC
POS (Point Of Sales-system)
Elektrisk cykel
Indbygget pc
Intelligent måler
Overvågningskamera
Røntgeninspektionsmaskine til sikkerhedsarbejde
Overvågningskamera til netværk
Samtaleanlæg/babyalarm
Maskinbelysningskamera til industri
Godkendelsesenhed til fingeraftryk
GFCI (jordfejlskredsløbsafbryder)
Digitalt multimeter: Bordtype
Display til EMS
Solcelleinvertere
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 3 6 ben, TSMT RTQ035N03TR
- ROHM N-Kanal 6 A 30 V TSMT, QS8K13 QS8K13TCR
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 1 30 V TSMT, QS6M3 QS6M3TR
- ROHM N-Kanal 2 3 ben, TSMT RSR025N03TL
- ROHM P-Kanal 3 A 30 V TSMT RRQ030P03TR
- ROHM N-Kanal 3 6 ben SOT-457T RQ6E035TN RQ6E035TNTR
- ROHM P-Kanal 5 A 30 V TSMT-6, RQ6E050AT RQ6E050ATTCR
- ROHM P-Kanal 4 6 ben RRQ045 RRQ045P03HZGTR