ROHM N-Kanal, MOSFET, 10 A 30 V, 8 ben, HUML2020L, RF4E100AJ RF4E100AJTCR

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
172-0405
Producentens varenummer:
RF4E100AJTCR
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

10 A

Drain source spænding maks.

30 V

Serie

RF4E100AJ

Kapslingstype

HUML2020L

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

17,9 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

1.5V

Mindste tærskelspænding for port

0.5V

Effektafsættelse maks.

2 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

±12 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

13 nC ved 4,5 V

Længde

2.1mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Bredde

2.1mm

Højde

0.6mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

RF4E100AJ er en MOSFET med lille støbt hus med stor effekt (HUML2020L8) til omskiftning og DC/DC-konverter, batteriomskifter.

Lav modstand ved tændt.
Lille støbt hus med stor effekt (HUML2020L8).
Blyfri forgyldning
Halogenfri

Relaterede links