ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, R6024ENJ
- RS-varenummer:
- 172-0479
- Producentens varenummer:
- R6024ENJTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 135,01
(ekskl. moms)
Kr. 168,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | Kr. 27,002 | Kr. 135,01 |
| 125 - 245 | Kr. 21,736 | Kr. 108,68 |
| 250 - 495 | Kr. 21,184 | Kr. 105,92 |
| 500 - 745 | Kr. 20,66 | Kr. 103,30 |
| 750 + | Kr. 20,136 | Kr. 100,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 172-0479
- Producentens varenummer:
- R6024ENJTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | R6024ENJ | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 320mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 245W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie R6024ENJ | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 320mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 245W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Power MOSFET'er er fremstillet som enheder med lav modstand ved tændt af mikro-procesteknologier og er nyttige til et bredt udvalg af anvendelser. Det brede produktsortiment dækker kompakte typer, højeffekts-typer og komplekse typer for at opfylde forskellige behov på markedet.
Lav modstand ved tændt.
Hurtig koblingshastighed.
Gate-source-spænding (VGSS) garanteret til ±20V.
Drivkredsløb kan være enkle.
Parallel brug er let.
Blyfri forgyldning
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 24 A 600 V Forbedring TO-263, R6024ENJ
- ROHM Type N-Kanal 24 A 1200 V Forbedring TO-263
- ROHM Type N-Kanal 24 A 1200 V Forbedring TO-263, SCT
- ROHM Type N-Kanal 24 A 12 V Forbedring TO-263 AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 24 A 1200 V Forbedring TO-263-7LA, SCT AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 24 A 600 V Forbedring TO-247, R60
- ROHM Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring TO-263
- ROHM Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring TO-263