Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	ROHM
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks.	7 A
	Drain source spænding maks.	30 V
	Serie	RF4E070GN
	Kapslingstype	HUML2020L
	Monteringstype	Overflademontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks.	33 mΩ
	Kanalform	Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port	2.5V
	Mindste tærskelspænding for port	1V
	Effektafsættelse maks.	2 W
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Gate source spænding maks.	±20 V
	Bredde	2.1mm
	Antal elementer per chip	1
	Gate-ladning ved Vgs typisk	4,8 nC ved 10 V
	Længde	2.1mm
	Driftstemperatur maks.	+150 °C
	Gennemgangsspænding for diode	1.2V
	Driftstemperatur min.	-55 °C
	Højde	0.6mm

	Vælg alle
	Brand ROHM
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. 7 A
	Drain source spænding maks. 30 V
	Serie RF4E070GN
	Kapslingstype HUML2020L
	Monteringstype Overflademontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. 33 mΩ
	Kanalform Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port 2.5V
	Mindste tærskelspænding for port 1V
	Effektafsættelse maks. 2 W
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Gate source spænding maks. ±20 V
	Bredde 2.1mm
	Antal elementer per chip 1
	Gate-ladning ved Vgs typisk 4,8 nC ved 10 V
	Længde 2.1mm
	Driftstemperatur maks. +150 °C
	Gennemgangsspænding for diode 1.2V
	Driftstemperatur min. -55 °C
	Højde 0.6mm

Power MOSFET'er er fremstillet som enheder med lav modstand ved tændt af mikro-procesteknologier og er nyttige til et bredt udvalg af anvendelser. Det brede produktsortiment dækker kompakte typer, højeffekts-typer og komplekse typer for at opfylde forskellige behov på markedet.

Lav modstand ved tændt.
Kraftig strøm i lille støbt hus (HUML2020L8).
Blyfri forgyldning
Halogenfri

ROHM N-Kanal, MOSFET, 7 A 30 V, 8 ben, HUML2020L, RF4E070GN RF4E070GNTR

Relaterede links