onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 111 A 60 V Forbedring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C650NL AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*

Kr. 19.074,00

(ekskl. moms)

Kr. 23.842,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 1.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1500 +Kr. 12,716Kr. 19.074,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
172-3293
Producentens varenummer:
NVMFD5C650NLWFT1G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

111A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

NVMFD5C650NL

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Portkildespænding maks.

20 V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.1 mm

Højde

1.05mm

Længde

6.1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Bilstrøm MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.

Lille format (5 x 6 mm)

Kompakt design

Lav rDS(on)

Minimer ledningsevnetab

Lav QG og kapacitet

Minimer drivertab

NVMFD5C446NLWF - Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr

Forbedret optisk inspektion

PPAP-kapacitet

Anvendelsesområder

Solenoide-driver

Lavside/højside driver

Motorrum-kontrollere

Antilock-bremsesystemer

Relaterede links