onsemi N-Kanal, MOSFET, 8 ben, SOIC, NCP81080 NCP81080DR2G

NCP81080 er en højtydende dobbelt MOSFET (høj side og lav side) gate-drive IC, der er designet til at drive MOSFET'er, der fungerer ved op til 180 V. NCP81080 integrerer en driver-IC og en bootstrap-diode og giver 0,5 A kilde-/0,8 optagedrivstrøm. Anti-krydsledende kredsløb er integreret for at forhindre Shoot-Through-problemer. Høj side- og lav side-drivere styres uafhængigt.

Driver to N-kanals MOSFET'er i høj & lav side
Integreret bootstrap-diode til høj-side gate-drive
Bootstrap forsyningsspændingsområde op til 180V
0,5 A kilde, 0,8 A strømoptagudgang
Driver 1 nF belastning med typiske stige-/faldtider på 19 ns/17 ns
Bredt forsyningsspændingsområde 5,5 V til 20 V
2 ns forsinkelsesmatchning (typisk)
Blokering af underspænding (UVLO) - beskyttelse til drevspænding
Drifts-junction-temperaturområde på -40 °C til 140 °C