onsemi N-Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- RS-varenummer:
- 172-4632P
- Producentens varenummer:
- FCP190N65S3
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.204,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.505,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 07. september 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 12,043 |
| 250 + | Kr. 11,549 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 172-4632P
- Producentens varenummer:
- FCP190N65S3
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SuperFET II | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 144W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 16.3mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SuperFET II | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 144W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 16.3mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed er SuperFET III MOSFET meget velegnet til forskellige strømsystemer for miniaturisering og højere effektivitet.
700 V ved Tj = 150 °C
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Meget lav portopladning (typ. Qg = 30 nC)
Lavere skiftetab
Lavt effektivt udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 277 pF)
Lavere skiftetab
Optimeret kapacitet
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Indvendig portmodstand: 7,0 ohm
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Typ. RDS(on) = 170 mΩ