Microchip N-Kanal, MOSFET, 170 mA 400 V Depletion, 3 ben, TO-243AA, DN2540 DN2540N8-G

DN2540 er en transistor med lav tærskelværdi og udtømningstilstand (normalt tændt), der anvender en avanceret lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne af bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikal DMOS FET'er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtigt skiftende hastigheder er ønsket.

Yderligere funktioner:
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet
Hurtig omkoblingshastighed
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundære nedbrud, lav indgangs- og udgangslækage