ROHM 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOP, SH8MA2 Nej SH8MA2GZETB
- RS-varenummer:
- 177-6673
- Producentens varenummer:
- SH8MA2GZETB
- Brand:
- ROHM
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 66,48
(ekskl. moms)
Kr. 83,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.500 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 3,324 | Kr. 66,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 177-6673
- Producentens varenummer:
- SH8MA2GZETB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | SH8MA2 | |
| Emballagetype | SOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.7W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.2mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bredde | 4.05 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie SH8MA2 | ||
Emballagetype SOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.7W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.2mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Bredde 4.05 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- TH
SH8MA2 er en effekt-MOSFET med lav modstand ved tændt, velegnet til omskiftning.
Lav modstand ved tændt.
Lille hus til overflademontering (SOP8).
Blyfri forgyldning
Halogenfri.
Relaterede links
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 4 8 ben SH8MA2 SH8MA2GZETB
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 4 5 A. 30 V SOP, SP8M3 SP8M3HZGTB
- ROHM N-Kanal 4 8 ben, SOP SH8K32TB1
- ROHM N-Kanal 4 8 ben SP8K22 SP8K22HZGTB
- ROHM N-Kanal 4 8 ben RS3L045GN RS3L045GNGZETB
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 8 8 ben SH8MB SH8MB5TB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 9 A 30 V SOP, SH8MA4 SH8MA4TB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 6 7 A 60 V SOP SH8MC5TB1
