Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 350 mA 90 V Forbedring, 3 Ben, TO-39, 2N6661

RS-varenummer:: 177-9587
Producentens varenummer:: 2N6661
Brand:: Microchip

Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 350 mA 90 V Forbedring, 3 Ben, TO-39, 2N6661

Indhold (1 pose af 500 enheder)*

Kr. 70.000,50

(ekskl. moms)

Kr. 87.500,50

(inkl. moms)

Tilføj 500 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 03. april 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pose*
500 +	Kr. 140,001	Kr. 70.000,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 177-9587
Producentens varenummer:: 2N6661
Brand:: Microchip

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Microchip
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	350mA
	Drain source spænding maks. Vds	90V
	Emballagetype	TO-39
	Serie	2N6661
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	5Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	6.25W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	6.6mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Microchip
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA
	Drain source spænding maks. Vds 90V
	Emballagetype TO-39
	Serie 2N6661
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 5Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 6.25W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Højde 6.6mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

Microchip Technology MOSFET

Microchip Technology N-channel MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 90 V og en maksimal gate-source-spænding på 20 V. Den har en modstand på 4 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har konstant drænstrøm på 350 mA og maksimal effekttab på 6,25 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 5 V og 10 V. MOSFET er en forstærkningstilstand (normalt slukket) MOSFET, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Sig af parallelkobling

• Fremragende termisk stabilitet

• Frie fra sekundær nedbrydning

• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

• Integreret kildedrændiode

• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder

• Krav til lavt effektdrev

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

Anvendelsesområder

• Forstærkere

• Konvertere

• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.

• Motorstyringer

• Strømforsyningskredsløb

• Switche

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007