Microchip N-Kanal, MOSFET, 350 mA 60 V, 3 ben, TO-92, TN0106 TN0106N3-G

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
177-9689
Producentens varenummer:
TN0106N3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

350 mA

Drain source spænding maks.

60 V

Kapslingstype

TO-92

Serie

TN0106

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

4,5 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2V

Mindste tærskelspænding for port

0.6V

Effektafsættelse maks.

1 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

20 V

Længde

5.08mm

Antal elementer per chip

1

Bredde

4.06mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

5.33mm

Gennemgangsspænding for diode

1.5V

COO (Country of Origin):
US

Microchip Technology MOSFET


Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en drænkildemodstand på 3 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har konstant drænstrøm på 350 mA og maksimal effekttab på 1 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 4,5 V og 10 V. MOSFET er en transistor (normalt off), der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Sig af parallelkobling
• Fremragende termisk stabilitet
• Frie fra sekundær nedbrydning
• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
• Integreret kildedrændiode
• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder
• Krav til lavt effektdrev
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

Anvendelsesområder


• Analog switch
• Batteridrevne systemer
• Liniedrivere til generelle formål
• Logisk interface - ideel til TTL og CMOS
• Foto-spændingsdrev
• Solid State-relæer
• Telekommunikationskontakter

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC

Relaterede links