Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TN2106
- RS-varenummer:
- 177-9691
- Producentens varenummer:
- TN2106K1-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 7.713,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.642,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,571 | Kr. 7.713,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 177-9691
- Producentens varenummer:
- TN2106K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | TN2106 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie TN2106 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Fri for sekundære nedbrud
Lavt krav til strømdrev
Nem parallelopsætning
Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder
God termisk stabilitet
Integreret source-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, TN2106 Nej TN2106K1-G
- Microchip Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring TO-92, TN2106 Nej
- onsemi Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS7002A Nej
- Microchip Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring TO-92, TN2106 Nej TN2106N3-G
- onsemi Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS7002A Nej NDS7002A
- Microchip Type P-Kanal -120 mA 100 V Forbedring SOT-23, VP2110 Nej
- Microchip Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002 Nej 2N7002-G
- Microchip Type P-Kanal -120 mA 100 V Forbedring SOT-23, VP2110 Nej VP2110K1-G