Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VN10K Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 3.025,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.781,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pose*
1000 +Kr. 3,025Kr. 3.025,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
177-9706
Producentens varenummer:
VN10KN3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

310mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-92

Serie

VN10K

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

7.5Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.08mm

Højde

5.33mm

Bredde

4.06 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Microchip Technology MOSFET


Microchip Technology N-channel MOSFET til montering gennem hul er et nyt aldersprodukt med en drænkildemodstand på 5 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 30 V. Den har konstant drænstrøm på 310 mA og maksimal effekttab på 1 W. Minimum- og maksimumspændingen for denne transistor er henholdsvis 5 V og 10 V. MOSFET er en transistor (normalt off), der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Sig af parallelkobling

• Fremragende termisk stabilitet

• Frie fra sekundær nedbrydning

• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

• Integreret kildedrændiode

• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder

• Krav til lavt effektdrev

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

Anvendelsesområder


• Forstærkere

• Konvertere

• drivere (relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.)

• Motorstyreenheder

• Strømforsyningskredsløb

• Switche

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC

Relaterede links