Microchip Type P-Kanal, MOSFET, 160 mA 500 V Forbedring, 3 Ben, SOT-89, VP2450
- RS-varenummer:
- 177-9737P
- Producentens varenummer:
- VP2450N8-G
- Brand:
- Microchip
Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 60,32
(ekskl. moms)
Kr. 75,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.915 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 + | Kr. 12,064 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 177-9737P
- Producentens varenummer:
- VP2450N8-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 160mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | SOT-89 | |
| Serie | VP2450 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 160mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype SOT-89 | ||
Serie VP2450 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- US
Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Fri for sekundære nedbrud
Lavt krav til strømdrev
Nem parallelopsætning
Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
God termisk stabilitet
Integreret source-to-drain-diode