Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, TN2106
- RS-varenummer:
- 177-9850
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-567
- Producentens varenummer:
- TN2106N3-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 89,24
(ekskl. moms)
Kr. 111,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.460 enhed(er) afsendes fra 27. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 4,462 | Kr. 89,24 |
| 40 - 80 | Kr. 4,245 | Kr. 84,90 |
| 100 + | Kr. 3,841 | Kr. 76,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 177-9850
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-38-567
- Producentens varenummer:
- TN2106N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | TN2106 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 740mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 5.33mm | |
| Bredde | 4.06 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.08mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie TN2106 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 740mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 5.33mm | ||
Bredde 4.06 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.08mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Fri for sekundære nedbrud
Lavt krav til strømdrev
Nem parallelopsætning
Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder
God termisk stabilitet
Integreret source-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring TO-92, TN2106 Nej
- Microchip Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, TN2106 Nej
- Microchip Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, TN2106 Nej TN2106K1-G
- Microchip N-Kanal 300 mA 60 V TO-92, VN2106 VN2106N3-G
- Microchip Type N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring TO-92 Nej
- Microchip Type P-Kanal 250 mA 60 V Forbedring TO-92 Nej
- Microchip Type N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring TO-92, 2N7000 Nej
- Microchip Type N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring TO-92, 2N7008 Nej