Vores services
Industry hub
Tilbud og rabatter
Pakkesporing
Log ind / Registrér
Log ind
/
Tilmeld dig
for at få adgang til dine fordele
Menu
Varenummer
Seneste søgninger
Afbrydere og omskiftere
Afbrydermateriel og sikringer
Automation og styring
Belysning
Kabinetter og serverracks
Kabler og ledninger
Relæer og signalbehandling
Varme, ventilation, blæsere og varmehåndtering
Batterier og opladere
Displays og optoelektronik
ESD-sikring, renrum og printfremstilling - PCB
Halvledere
Passive komponenter
Raspberry Pi, Arduino, ROCK og udviklingsværktøj
Stik, klemmer og terminaler
Strømforsyninger og transformere
Befæstelseselementer
Håndværktøj
Konstruktionsmaterialer og industriel hardware
Lagerinventar og materialehåndtering
Lejer og tætninger
Lim, tætningsmidler og tape
Mekanisk transmission
Pneumatik og hydraulik
Power tools, lodning og svejsning
VVS og rørledning
Computere og enheder
Kontorforsyning
Personlige værnemidler & Arbejdstøj
Rengøring og vedligeholdelse
Sikkerhed og isenkram
Sikkerhed på arbejdspladsen
Test- og måleudstyr
Halvledere
Diskrete halvledere
MOSFET
Vishay N-Kanal, MOSFET, 8,1 A 250 V, 3 ben, TO-220AB IRF634PBF
RS-varenummer:
178-0828
Producentens varenummer:
IRF634PBF
Brand:
Vishay
Se alle MOSFET
Dette produkt er udgået
RS-varenummer:
178-0828
Producentens varenummer:
IRF634PBF
Brand:
Vishay
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Egenskaber
Datasheet
RoHS-Deklaration
Statement of conformity
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Attribute
Value
Kanaltype
N
Drain-strøm kontinuerlig maks.
8,1 A
Drain source spænding maks.
250 V
Kapslingstype
TO-220AB
Monteringstype
Hulmontering
Benantal
3
Drain source modstand maks.
450 mΩ
Kanalform
Enhancement
Mindste tærskelspænding for port
2V
Effektafsættelse maks.
74 W
Transistorkonfiguration
Enkelt
Gate source spænding maks.
-20 V, +20 V
Antal elementer per chip
1
Længde
10.41mm
Driftstemperatur maks.
+150 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk
41 nC ved 10 V
Bredde
4.7mm
Transistormateriale
Si
Driftstemperatur min.
-55 °C
Højde
9.01mm