Vishay N-Kanal, MOSFET, 2.5 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRF
- RS-varenummer:
- 178-0833
- Producentens varenummer:
- IRF820APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 407,50
(ekskl. moms)
Kr. 509,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 550 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 8,15 | Kr. 407,50 |
| 100 - 200 | Kr. 7,743 | Kr. 387,15 |
| 250 + | Kr. 7,335 | Kr. 366,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0833
- Producentens varenummer:
- IRF820APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.01mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.01mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Power MOSFET har lavt QG-opladningsniveau, hvilket resulterer i et simpelt drevkrav, og den har forbedret gate, lavine og dynamisk DV/dt robusthed.
Driftstemperaturområde for tilslutning og opbevaring - 55 til + 150 oC
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay N-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay N-Kanal 28 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 1.8 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 4 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 6.8 A 100 V Forbedring TO-220, IRF