Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 1.8 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRF
- RS-varenummer:
- 178-0837
- Producentens varenummer:
- IRF9610PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 395,85
(ekskl. moms)
Kr. 494,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 800 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 7,917 | Kr. 395,85 |
| 100 - 200 | Kr. 6,731 | Kr. 336,55 |
| 250 + | Kr. 6,334 | Kr. 316,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0837
- Producentens varenummer:
- IRF9610PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -5.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay power MOSFET'er-teknologien er nøglen til Advanced-serien af MOSFET-effekttransistorer. Den effektive geometri og unikke behandling af power MOSFET'er-designet giver meget lav modstand i tilstanden kombineret med høj transkonduktans og ekstrem robusthed i enheden. TO-220AB-pakken foretrækkes universelt til alle kommercielle - industrielle anvendelser ved effekttab på ca. 50 W.
Dynamisk dV/dt-normering
Nem parallelopsætning
Enkle krav til drev
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 1.8 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 4 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type P-Kanal 6.8 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-220, IRF