onsemi N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V, 3 ben, D2PAK (TO-263) NTB082N65S3F

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-4423
Producentens varenummer:
NTB082N65S3F
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

40 A

Drain source spænding maks.

650 V

Kapslingstype

D2PAK (TO-263)

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

82 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

5V

Mindste tærskelspænding for port

3V

Effektafsættelse maks.

313 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

±30 V

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

10.67mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

81 nC ved 10 V

Bredde

9.65mm

Højde

4.58mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Gennemgangsspænding for diode

1.3V

COO (Country of Origin):
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features
700 V @ TJ = 150
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 81 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 722 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger

Relaterede links