onsemi N-Kanal, MOSFET, 88 A 40 V Forbedring, 4 Ben, TO-252 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-4623
- Producentens varenummer:
- NVD5C454NLT4G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 140,10
(ekskl. moms)
Kr. 175,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- 2.170 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 14,01 | Kr. 140,10 |
| 100 - 240 | Kr. 12,065 | Kr. 120,65 |
| 250 + | Kr. 11,609 | Kr. 116,09 |
*Vejledende pris
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (på Rulle á 2500)
Kr. 11.962,50
(ekskl. moms)
Kr. 14.953,12
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 178-4623
- Producentens varenummer:
- NVD5C454NLT4G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 88A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 56W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.25mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 88A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 56W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.25mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- VN
Bilstrøm MOSFET i et DPAK-hus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Velegnet til brug i biler.
Funktioner
Lav modstand ved tændt
Håndterer høje strømstyrker
PPAP-kapacitet
Fordele
Minimalt ledningstab
Robust belastningsydeevne
Spændingsoverbelastningsbeskyttelse
Anvendelsesområder
Lavsidet driver
Højside driver
Motordrev
Slutprodukter
Bilkraftoverføring
Bil-HVAC-motorer
ABS-trykpumper