onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, NTD6415ANL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 802-1030
- Producentens varenummer:
- NTD6415ANLT4G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 85,72
(ekskl. moms)
Kr. 107,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 110 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,572 | Kr. 85,72 |
| 100 - 240 | Kr. 7,39 | Kr. 73,90 |
| 250 + | Kr. 6,41 | Kr. 64,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 802-1030
- Producentens varenummer:
- NTD6415ANLT4G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | NTD6415ANL | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 56mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie NTD6415ANL | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 56mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal Power MOSFET, 100 V til 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 23 A 100 V Forbedring TO-252, NTD6415ANL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 88 A 40 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 83 A 40 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 252 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS1D3N04C AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 59 A 40 V Forbedring TO-252, NVD5C464N AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 20 A 30 V Forbedring TO-252, NTD AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 38 A 60 V Forbedring TO-252, NVD5C684NL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 49 A 60 V Forbedring TO-252, NVD5C668NL AEC-Q101
