onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 59 A 40 V Forbedring, 4 Ben, TO-252, NVD5C464N AEC-Q101 NVD5C464NT4G

RS-varenummer:: 172-3367
Producentens varenummer:: NVD5C464NT4G
Brand:: onsemi

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 59 A 40 V Forbedring, 4 Ben, TO-252, NVD5C464N AEC-Q101 NVD5C464NT4G

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 268,075

(ekskl. moms)

Kr. 335,10

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 01. juni 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 - 75	Kr. 10,723	Kr. 268,08
100 - 225	Kr. 9,245	Kr. 231,13
250 +	Kr. 8,012	Kr. 200,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 172-3367
Producentens varenummer:: NVD5C464NT4G
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	59A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	NVD5C464N
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	5.8mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	20nC
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Effektafsættelse maks. Pd	40W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	6.73mm
	Højde	2.25mm
	Bredde	6.22 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 59A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie NVD5C464N
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 5.8mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Effektafsættelse maks. Pd 40W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 6.73mm
	Højde 2.25mm
	Bredde 6.22 mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder AEC-Q101

SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed er SuperFET III MOSFET meget velegnet til de forskellige strømsystemer for miniaturisering og højere effektivitet.

700 V ved Tj = 150 °C

Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur

Meget lav portopladning (typ. Qg = 259 nC)

Lavere skiftetab

Lavt effektivt udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 1972 pF)

Lavere skiftetab

Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)

Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb

Optimeret kapacitet

Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger

Typ. RDS(on) = 23 mΩ

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 59 A 40 V Forbedring, 4 Ben, TO-252, NVD5C464N AEC-Q101 NVD5C464NT4G

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links