DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 9.747,50

(ekskl. moms)

Kr. 12.185,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,899Kr. 9.747,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
246-6896
Producentens varenummer:
DMTH10H015SK3-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

59A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.014Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.73W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

8 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.29mm

Længde

6.58mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.1 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

DiodesZetex er en N-kanal forstærkende mode MOSFET og er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i TO252-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Den er normeret til + 175 C og ideel til miljøer med høje omgivelsestemperaturer. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.

Den maksimale drain til kildespænding er 100 V, og den maksimale gate til kildespænding er ± 20 V dens lave RDS(ON) hjælper med at minimere effekttab dens lave QG hjælper med at minimere kontakttab

Relaterede links