onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 252 A 40 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS1D3N04C AEC-Q101 NVMYS1D3N04CTWG

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 53,44

(ekskl. moms)

Kr. 66,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 +Kr. 13,36Kr. 53,44

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
185-9246
Producentens varenummer:
NVMYS1D3N04CTWG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

252A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

LFPAK

Serie

NVMYS1D3N04C

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

75nC

Effektafsættelse maks. Pd

134W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.2mm

Bredde

4.25 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Ikke i overensstemmelse med RoHS

COO (Country of Origin):
PH
Automotive Power MOSFET i 5 x 6 mm LFPAK hus, der er designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydelse. MOSFET- og PPAP-kompatibel velegnet til brug i biler, der kræver forbedret pålidelighed på kortniveau.

Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design

Lav RDS(on) for at minimere ledningstab

Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab

Lfpak4 Hus, Industristandard

PPAP-kapacitet

Disse enheder er blyfrie

Relaterede links