onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS8D0N04C AEC-Q101 NVMYS8D0N04CTWG

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 30 enheder)*

Kr. 59,34

(ekskl. moms)

Kr. 74,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.400 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
30 +Kr. 1,978Kr. 59,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
195-2541
Producentens varenummer:
NVMYS8D0N04CTWG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

49A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

LFPAK

Serie

NVMYS8D0N04C

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

8.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

38W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Bredde

4.25 mm

Højde

1.15mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Bilstrøm MOSFET i et DPAK-hus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. MOSFET- og PPAP-kompatibel velegnet til brug i biler, der kræver forbedret pålidelighed på kortniveau

Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design

Lav RDS(on) for at minimere ledningstab

Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab

Lfpak4 Hus, Industristandard

PPAP-kapacitet

Disse enheder er blyfrie

Relaterede links