onsemi N-Kanal, MOSFET, 235 A 40 V Forbedring, 8 Ben, LFPAK, NVMJS1D3N04C AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 185-9186
- Producentens varenummer:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (4 enheder, i en pakke med 4)*
Kr. 85,42
(ekskl. moms)
Kr. 106,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.740 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 36 | Kr. 21,355 | Kr. 85,42 |
| 40 - 396 | Kr. 18,42 | Kr. 73,68 |
| 400 - 1996 | Kr. 15,97 | Kr. 63,88 |
| 2000 + | Kr. 14,043 | Kr. 56,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 185-9186
- Producentens varenummer:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 235A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NVMJS1D3N04C | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 128W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 235A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NVMJS1D3N04C | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 128W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.9mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
- COO (Country of Origin):
- PH
Automotive Power MOSFET i 5 x 6 mm LFPAK hus, der er designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydelse. MOSFET- og PPAP-kompatibel velegnet til brug i biler, der kræver forbedret pålidelighed på kortniveau.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Lfpak8 Hus, Industristandard
PPAP-kapacitet
Disse enheder er blyfri, halogenfri/BFR-fri