onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 235 A 40 V Forbedring, 8 Ben, LFPAK, NVMJS1D3N04C AEC-Q101 NVMJS1D3N04CTWG
- RS-varenummer:
- 185-9186
- Producentens varenummer:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 52,00
(ekskl. moms)
Kr. 65,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.992 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 + | Kr. 13,00 | Kr. 52,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 185-9186
- Producentens varenummer:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 235A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | NVMJS1D3N04C | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 128W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.9 mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 235A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie NVMJS1D3N04C | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 128W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.9 mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
- COO (Country of Origin):
- PH
Automotive Power MOSFET i 5 x 6 mm LFPAK hus, der er designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydelse. MOSFET- og PPAP-kompatibel velegnet til brug i biler, der kræver forbedret pålidelighed på kortniveau.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Lfpak8 Hus, Industristandard
PPAP-kapacitet
Disse enheder er blyfri, halogenfri/BFR-fri
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 235 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMJS1D3N04C AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 49 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS8D0N04C AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 38 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS010N04CL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 52 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS7D3N04CL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 71 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS5D3N04C AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 35 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS011N04C AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 252 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS1D3N04C AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMJS1D5N04CL AEC-Q101
