onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 235 A 40 V Forbedring, 8 Ben, LFPAK, NVMJS1D3N04C AEC-Q101 NVMJS1D3N04CTWG

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 52,00

(ekskl. moms)

Kr. 65,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.992 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 +Kr. 13,00Kr. 52,00

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
185-9186
Producentens varenummer:
NVMJS1D3N04CTWG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

235A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

LFPAK

Serie

NVMJS1D3N04C

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

65nC

Effektafsættelse maks. Pd

128W

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.9 mm

Højde

1.2mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Ikke i overensstemmelse med RoHS

COO (Country of Origin):
PH
Automotive Power MOSFET i 5 x 6 mm LFPAK hus, der er designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydelse. MOSFET- og PPAP-kompatibel velegnet til brug i biler, der kræver forbedret pålidelighed på kortniveau.

Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design

Lav RDS(on) for at minimere ledningstab

Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab

Lfpak8 Hus, Industristandard

PPAP-kapacitet

Disse enheder er blyfri, halogenfri/BFR-fri

Relaterede links