onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS8D0N04C
- RS-varenummer:
- 195-2527
- Producentens varenummer:
- NTMYS8D0N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 30 enheder)*
Kr. 235,47
(ekskl. moms)
Kr. 294,33
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | Kr. 7,849 | Kr. 235,47 |
| 120 - 270 | Kr. 6,764 | Kr. 202,92 |
| 300 + | Kr. 5,864 | Kr. 175,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 195-2527
- Producentens varenummer:
- NTMYS8D0N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NTMYS8D0N04C | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.15mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.25 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NTMYS8D0N04C | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.15mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.25 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Industriel Power MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og høj termisk ydelse.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Lfpak4 Hus, Industristandard
Disse enheder er blyfrie
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 49 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMYS8D0N04C Nej
- onsemi Type N-Kanal 49 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS8D0N04C AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 49 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS8D0N04C AEC-Q101 NVMYS8D0N04CTWG
- onsemi Type N-Kanal 35 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMYS011N04C Nej
- onsemi Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMJS1D5N04CL Nej
- onsemi Type N-Kanal 38 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMYS010N04CL Nej
- onsemi Type N-Kanal 300 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMJS1D0N04C Nej
- onsemi Type N-Kanal 330 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMJS0D9N04CL Nej
