onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS8D0N04C
- RS-varenummer:
- 195-2527
- Producentens varenummer:
- NTMYS8D0N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 30 enheder)*
Kr. 235,47
(ekskl. moms)
Kr. 294,33
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | Kr. 7,849 | Kr. 235,47 |
| 120 - 270 | Kr. 6,764 | Kr. 202,92 |
| 300 + | Kr. 5,864 | Kr. 175,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 195-2527
- Producentens varenummer:
- NTMYS8D0N04CTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NTMYS8D0N04C | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bredde | 4.25 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NTMYS8D0N04C | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.15mm | ||
Bredde 4.25 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Industriel Power MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og høj termisk ydelse.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Lfpak4 Hus, Industristandard
Disse enheder er blyfrie
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 49 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMYS8D0N04C
- onsemi Type N-Kanal 49 A 40 V Forbedring LFPAK, NVMYS8D0N04C AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 27 A 60 V Forbedring LFPAK, NTMYS021N06CL
- onsemi Type N-Kanal 35 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMYS011N04C
- onsemi Type N-Kanal 21 A 60 V Forbedring LFPAK, NTMYS025N06CL
- onsemi Type N-Kanal 38 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMYS010N04CL
- onsemi Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMJS1D5N04CL
- onsemi Type N-Kanal 330 A 40 V Forbedring LFPAK, NTMJS0D9N04CL
