Infineon N-Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5

RS-varenummer:: 178-7369
Producentens varenummer:: IPD025N06NATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 15.515,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.395,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 6,206	Kr. 15.515,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-7369
Producentens varenummer:: IPD025N06NATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	90A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	3.8mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	71nC
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	167W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	6.73mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	2.41mm
	Bredde	6.22mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 3.8mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 71nC
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 167W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 6.73mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 2.41mm
	Bredde 6.22mm
	Bilindustristandarder Nej

IPD025N06N OptiMOS Power-Transistor

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 90 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD025N06NATMA1

Denne n-kanal-forbedrings-MOSFET er en effekttransistor, der er designet til overflademonteret elektronik, der kræver robust omskiftning og ledningsevne ved mellemspændingsniveauer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser med høj strømstyrke, hvor lave ledningstab og moderat portdrev er påkrævet. Enheden leveres i en TO-252-pakke, der er velegnet til automatiseret samling på tætbefolkede kort.

Egenskaber og fordele:

• 3.8 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab for højere effektivitet
• 90 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter omskiftning ved kraftig belastning
• 60 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsdesign
• 71 nC typisk gate-ladning minimerer drivenergikrav
• 167 W maks. effekttab muliggør forøget effekthåndtering
• 20 V gate-source-grænse giver mulighed for robuste gate-drivermarginer

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til motordrevne halvbroer i industrielle controllere
• Anvendes sammen med batteristyringssystemer, der kræver høj strøm
• Kan bruges til DC-DC-konvertering i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til effekttrin i server- eller lagerelektronik

Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C og passer til fjendtlige termiske miljøer.

Hvordan er den pakket til samling og køling?

Komponenten leveres i en TO-252 (DPAK)-pakke til overflademontering, der er designet til montering af loddeplader og varmeoverførsel til varmeafledere.

Hvilke hensyn til gate-drev skal jeg tage hensyn til?

Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V

drevkredsløb skal være dimensioneret til at levere den typiske 71 nC gate-ladning for de ønskede skiftehastigheder.

Hvordan påvirker dens kanaltype skifteadfærd?

Som en N-kanalforbedringsenhed kræver den en positiv gate-spænding til at lede, hvilket giver lav modstand ved tænding for effektive stier med høj strømstyrke.