Infineon N-Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

RS-varenummer:: 214-9054
Producentens varenummer:: IPD90N04S403ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.975,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.225,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

15.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 3,59	Kr. 8.975,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-9054
Producentens varenummer:: IPD90N04S403ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	90A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	OptiMOS-T2
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	3.2mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	51nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	94W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	6.5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.22mm
	Højde	2.3mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie OptiMOS-T2
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 3.2mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 94W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 6.5mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.22mm
	Højde 2.3mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IPD90N04S403ATMA1

Infineon OptiMOS-T2 seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 90 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD90N04S403ATMA1

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til effektomskiftning og konvertering i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og understøtter høje kontinuerlige afløbsstrømme, hvilket gør den velegnet til termiske og elektriske belastningsforhold i biler og industrielle sammenhænge.

Egenskaber og fordele:

• 40 V maksimal drain-source-spænding muliggør robuste lavspændingstrin
• 90 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høj strømforsyning
• 3,2 mΩ maks. Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 94 W maks. effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 51 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• 20 V maksimal gate-source-spænding bevarer gate-isoleringsmargenen

Anvendelser

• Velegnet til DC-DC-omformereffekttrin i køretøjer
• Ideel til omskiftning af højstrømsbelastninger i motorsystemer
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder, der kræver kompakte strømforsyningsenheder
• Kan bruges til synkron ensretning i omformere
• Anvendes til termotolerante effekttrin, der udsættes for brede temperaturer

Hvilket omgivelsesområde kan den tolerere under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver en bred termisk tolerance.

Hvilken hustype bruges til kortmontering?

Den leveres i en TO-252-pakke til overflademonterede anvendelser.

Hvor mange elektriske forbindelser giver enheden?

Den har tre ben til standard drain-, gate- og kildetilslutninger.

Hvad er kanalens polaritet og driftstilstand?

Enheden bruger en N-type kanal og fungerer i forstærkning.

Hvilken fremadgående spænding kan forventes under ledning?

Den fremadrettede spænding er specificeret til 1,3 V til karakterisering af ledningsevnen.