Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.610,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.262,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 - 2500Kr. 2,644Kr. 6.610,00
5000 +Kr. 2,512Kr. 6.280,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-3044
Producentens varenummer:
IPD50N06S4L12ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

16 V

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Højde

2.41mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET til brug i biler. Den har DPAK (TO-252) pakketype.

N-kanal - forbedringstilstand

100 % lavine-testet

175 °C driftstemperatur

Relaterede links