Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 5.835,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.295,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 - 2500Kr. 2,334Kr. 5.835,00
5000 +Kr. 2,217Kr. 5.542,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-3044
Producentens varenummer:
IPD50N06S4L12ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.41mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET til brug i biler. Den har DPAK (TO-252) pakketype.

N-kanal - forbedringstilstand

100 % lavine-testet

175 °C driftstemperatur

Relaterede links