Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 218-3044
- Producentens varenummer:
- IPD50N06S4L12ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*
Kr. 5.835,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.295,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 2,334 | Kr. 5.835,00 |
| 5000 + | Kr. 2,217 | Kr. 5.542,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3044
- Producentens varenummer:
- IPD50N06S4L12ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2 seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 50 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD50N06S4L12ATMA2
Denne MOSFET er en 60 V N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til kobling med høj strøm i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt omgivelsestemperaturområde og er beregnet til overflademonterede enheder, hvor effektiv ledning og kompakt emballage er påkrævet.
Egenskaber og fordele:
• Lav modstand ved tænding på 12 mΩ reducerer ledningstab
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 50 A understøtter tunge belastninger
• 50 W effekttabskapacitet håndterer termisk stress
• Gate-opladning på 30 nC muliggør hurtigere skifteovergange
• 16 V portklassificering giver mulighed for robuste portdrevmargener
• AEC-Q101-kvalifikation sikrer egnethed til brug i biler
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 50 A understøtter tunge belastninger
• 50 W effekttabskapacitet håndterer termisk stress
• Gate-opladning på 30 nC muliggør hurtigere skifteovergange
• 16 V portklassificering giver mulighed for robuste portdrevmargener
• AEC-Q101-kvalifikation sikrer egnethed til brug i biler
Anvendelser
• Velegnet til DC/DC-omformere i bilelektronik
• Ideel til effektomskiftning i trækkraftsystemer
• Anvendes til stærkstrømsmotordriverstrin
• Kan bruges til batteristyring og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til overflademonterede strømmoduler på kompakte kort
• Ideel til effektomskiftning i trækkraftsystemer
• Anvendes til stærkstrømsmotordriverstrin
• Kan bruges til batteristyring og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til overflademonterede strømmoduler på kompakte kort
Hvad er enhedens spændingsgrænser for drain og gate?
Drain-til-kilde modstår op til 60 V, mens gate-til-kilde er mærkes til 16 V.
Hvordan håndterer enheden ekstreme omgivelsestemperaturer?
Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 175 °C til varierede termiske miljøer.
Hvilken pakke og monteringsform bruger den til printmontering?
Den leveres i en TO-252-pakke, der er designet til overflademontering.
Hvilken kanaltype og -tilstand bestemmer dens ledningsadfærd?
Den bruger en N-kanalsstruktur konfigureret i forbedringstilstand til kontrolleret omskiftning.
Hvilke hensyn til det fysiske fodaftryk påvirker det termiske layout?
Pakken er kompakt med en højde på 2,41 mm, en længde på 6,73 mm og en bredde på 6,22 mm for at lette tæt kortplacering.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 86 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 25 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2