Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 98,98

(ekskl. moms)

Kr. 123,72

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 4,949Kr. 98,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3045
Producentens varenummer:
IPD50N06S4L12ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

16 V

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.41mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET til brug i biler. Den har DPAK (TO-252) pakketype.

N-kanal - forbedringstilstand

100 % lavine-testet

175 °C driftstemperatur

Relaterede links