Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

RS-varenummer:: 218-3045
Producentens varenummer:: IPD50N06S4L12ATMA2
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 98,98

(ekskl. moms)

Kr. 123,72

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

5.540 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 4,949	Kr. 98,98

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 218-3045
Producentens varenummer:: IPD50N06S4L12ATMA2
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	50A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	OptiMOS-T2
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	12mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	16V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	30nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd	50W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.73mm
	Bredde	6.22mm
	Højde	2.41mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie OptiMOS-T2
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 12mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 16V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd 50W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.73mm
	Bredde 6.22mm
	Højde 2.41mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IPD50N06S4L12ATMA2

Infineon OptiMOS-T2 seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 50 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD50N06S4L12ATMA2

Denne MOSFET er en 60 V N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til kobling med høj strøm i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt omgivelsestemperaturområde og er beregnet til overflademonterede enheder, hvor effektiv ledning og kompakt emballage er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 12 mΩ reducerer ledningstab
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 50 A understøtter tunge belastninger
• 50 W effekttabskapacitet håndterer termisk stress
• Gate-opladning på 30 nC muliggør hurtigere skifteovergange
• 16 V portklassificering giver mulighed for robuste portdrevmargener
• AEC-Q101-kvalifikation sikrer egnethed til brug i biler

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere i bilelektronik
• Ideel til effektomskiftning i trækkraftsystemer
• Anvendes til stærkstrømsmotordriverstrin
• Kan bruges til batteristyring og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til overflademonterede strømmoduler på kompakte kort

Hvad er enhedens spændingsgrænser for drain og gate?

Drain-til-kilde modstår op til 60 V, mens gate-til-kilde er mærkes til 16 V.

Hvordan håndterer enheden ekstreme omgivelsestemperaturer?

Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 175 °C til varierede termiske miljøer.

Hvilken pakke og monteringsform bruger den til printmontering?

Den leveres i en TO-252-pakke, der er designet til overflademontering.

Hvilken kanaltype og -tilstand bestemmer dens ledningsadfærd?

Den bruger en N-kanalsstruktur konfigureret i forbedringstilstand til kontrolleret omskiftning.

Hvilke hensyn til det fysiske fodaftryk påvirker det termiske layout?

Pakken er kompakt med en højde på 2,41 mm, en længde på 6,73 mm og en bredde på 6,22 mm for at lette tæt kortplacering.