Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 98,98

(ekskl. moms)

Kr. 123,72

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.880 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 4,949Kr. 98,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3045
Producentens varenummer:
IPD50N06S4L12ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.41mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET til brug i biler. Den har DPAK (TO-252) pakketype.

N-kanal - forbedringstilstand

100 % lavine-testet

175 °C driftstemperatur

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.