Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

RS-varenummer:: 166-0799
Producentens varenummer:: IPD100N04S402ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 15.237,50

(ekskl. moms)

Kr. 19.047,50

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 07. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 6,095	Kr. 15.237,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 166-0799
Producentens varenummer:: IPD100N04S402ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	100A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	OptiMOS-T2
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	2mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	91nC
	Effektafsættelse maks. Pd	150W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	6.22mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.73mm
	Højde	2.41mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie OptiMOS-T2
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 2mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 91nC
	Effektafsættelse maks. Pd 150W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 6.22mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.73mm
	Højde 2.41mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):: MY

Infineon OptiMOS-T2 seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD100N04S402ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms-switchtransistor, der er designet til krævende elektroniske systemer, der kræver robust termisk og elektrisk ydeevne. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til overflademontering, hvilket giver lav modstand ved tænding og effektiv ledning til strømkonverterings- og koblingsopgaver i biler og industrielle miljøer.

Egenskaber og fordele:

• 2 mΩ Rds giver minimale ledningstab
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter anvendelser med høj belastning
• 150 W effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 91 nC gate-ladning giver mulighed for forudsigelig omskiftningskontrol
• 1,2 V fremadgående spænding reducerer ledningsfald under belastning
• 20 V gate-tolerance hjælper med beskyttelse mod overspænding

Anvendelser

• Velegnet til effekttrin i biler, der kræver AEC-Q101-kvalifikation
• Anvendes til DC-DC-konvertere i systemer med høj strømstyrke
• Ideel til motordrevkontakter i bilelektronik
• Kan bruges til batteristyring og strømfordeling
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder på kompakte strømmoduler

Hvilken hustype skal designere rumme til kortlayout?

Enheden leveres i en TO-252-pakke og er beregnet til overflademontering, så jordmønstre skal passe til den trebenede konfiguration og de termiske pudekrav.

Hvordan fungerer den ved ekstreme temperaturer?

Den opretholder drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket gør den velegnet til miljøer med brede termiske udgange og høje omgivende temperaturer.

Hvilken polaritet og kanalanordning bruger den?

Det er en N-kanal-forbedringsenhed, der kræver en positiv gate-til-kilde-spænding til ledning og tilbyder standard N-kanals skifteadfærd.

Er der grænser for drain-to-source- og gate-spændinger, der skal overvejes?

Den maksimale drain-to-source-spænding er 40 V, og gate-to-source-spændingen er maks. 20 V, så konstruktionerne skal sikre, at disse grænser ikke overskrides under transienter.