Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 110-7111
- Producentens varenummer:
- IPD100N04S402ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 122,07
(ekskl. moms)
Kr. 152,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Afsendelse fra 08. januar 2027
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 12,207 | Kr. 122,07 |
| 50 - 90 | Kr. 11,587 | Kr. 115,87 |
| 100 - 240 | Kr. 11,355 | Kr. 113,55 |
| 250 - 490 | Kr. 10,622 | Kr. 106,22 |
| 500 + | Kr. 9,874 | Kr. 98,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 110-7111
- Producentens varenummer:
- IPD100N04S402ATMA1
- Brand:
- Infineon
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 91nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 91nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS-T2 seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD100N04S402ATMA1
Egenskaber og fordele:
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter anvendelser med høj belastning
• 150 W effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 91 nC gate-ladning giver mulighed for forudsigelig omskiftningskontrol
• 1,2 V fremadgående spænding reducerer ledningsfald under belastning
• 20 V gate-tolerance hjælper med beskyttelse mod overspænding
Anvendelser
• Anvendes til DC-DC-konvertere i systemer med høj strømstyrke
• Ideel til motordrevkontakter i bilelektronik
• Kan bruges til batteristyring og strømfordeling
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder på kompakte strømmoduler
Hvilken hustype skal designere rumme til kortlayout?
Hvordan fungerer den ved ekstreme temperaturer?
Hvilken polaritet og kanalanordning bruger den?
Er der grænser for drain-to-source- og gate-spændinger, der skal overvejes?
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 86 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 25 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2
