Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101 IPD90N04S403ATMA1
- RS-varenummer:
- 214-9055
- Producentens varenummer:
- IPD90N04S403ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 77,655
(ekskl. moms)
Kr. 97,065
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 17.415 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 5,177 | Kr. 77,66 |
| 75 - 135 | Kr. 4,912 | Kr. 73,68 |
| 150 - 360 | Kr. 4,713 | Kr. 70,70 |
| 375 - 735 | Kr. 4,503 | Kr. 67,55 |
| 750 + | Kr. 4,194 | Kr. 62,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9055
- Producentens varenummer:
- IPD90N04S403ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien af nye OptiMOS-T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2-reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS-T2 produktserie udvider de eksisterende serier af OptiMOS-T og OptiMOS. OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende opgaver, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Det er AEC Q101-kvalificeret til brug i biler
100 % lavine-testet
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V TO-252, OptiMOS™ -T2 IPD90N04S403ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N04S4L04ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N03S4L02ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 100 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N10S4L06ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N03S4L03ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 60 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N06S4L03ATMA2
- Infineon P-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90P03P404ATMA2
- Infineon N-Kanal 86 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N04S405ATMA1