Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 Nej IPD90N06S4L03ATMA2

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 91,91

(ekskl. moms)

Kr. 114,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.460 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 9,191Kr. 91,91

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2520
Producentens varenummer:
IPD90N06S4L03ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

170nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS ® -T2 Power-Transistor har 60 V maksimal drænkildespænding, N-CH, Automotive MOSFET, med DPAK (TO-252) hus.

N-kanal - forbedringstilstand

Automotiv AEC Q101 kvalificeret

MSL1 op til 260 °C topreflow

175 °C driftstemperatur

Ultralav RDSon

Relaterede links