onsemi N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 220 mA, 410 mA 25 V, 6 ben, SOT-363 FDG6322C

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
178-7600
Producentens varenummer:
FDG6322C
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

N, P

Drain-strøm kontinuerlig maks.

220 mA, 410 mA

Drain source spænding maks.

25 V

Kapslingstype

SOT-363

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

6

Drain source modstand maks.

1,9 Ω, 7 Ω

Kanalform

Enhancement

Mindste tærskelspænding for port

0.65V

Effektafsættelse maks.

300 mW

Transistorkonfiguration

Isoleret

Gate source spænding maks.

-8 V, +8 V

Antal elementer per chip

2

Gate-ladning ved Vgs typisk

0,29 nC ved 4,5 V, 1,1 nC ved 5 V

Længde

2mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Bredde

1.25mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

1mm

Relaterede links