Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 36 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101

RS-varenummer:: 180-7403
Producentens varenummer:: SQJ457EP-T1_GE3
Brand:: Vishay

Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 36 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 10.263,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.828,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 21. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 3,421	Kr. 10.263,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7403
Producentens varenummer:: SQJ457EP-T1_GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	36A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	PowerPAK SO-8L
	Serie	SQJ
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.025Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	65nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	±20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	68W
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	5.13 mm
	Længde	6.15mm
	Standarder/godkendelser	AEC-Q101
	Højde	1.14mm
	Antal elementer per chip	1
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype PowerPAK SO-8L
	Serie SQJ
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.025Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. ±20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 68W
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 5.13 mm
	Længde 6.15mm
	Standarder/godkendelser AEC-Q101
	Højde 1.14mm
	Antal elementer per chip 1
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay MOSFET er en P-kanal, TO-263-3 pakke, som er et nyt produkt i en alder med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 6,7 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 375 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• halogen- og blyfrit (Pb) komponent

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakter

• DC/DC primære kontakter

• Belastningskontakter

• Strømstyring

Certifikater

• AEC-Q101 kvalificeret

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet