Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 36 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 180-7403
- Producentens varenummer:
- SQJ457EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 180-7403
- Producentens varenummer:
- SQJ457EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | SQJ | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.025Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.13mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Højde | 1.14mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8L | ||
Serie SQJ | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.025Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.13mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Højde 1.14mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en P-kanal, TO-263-3 pakke, som er et nyt produkt i en alder med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 6,7 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 375 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• halogen- og blyfrit (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakter
• DC/DC primære kontakter
• Belastningskontakter
• Strømstyring
Certifikater
• AEC-Q101 kvalificeret
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 36 A 60 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 210 A 80 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 66 A 80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -128 A -80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 243 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 1 N-Kanal Enkelt 42 A 100 V PowerPAK SO-8L AEC-Q101