Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 36 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 180-7972
- Producentens varenummer:
- SQJ457EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 129,10
(ekskl. moms)
Kr. 161,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Plus 2.540 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 6,455 | Kr. 129,10 |
| 100 - 180 | Kr. 4,844 | Kr. 96,88 |
| 200 - 480 | Kr. 4,256 | Kr. 85,12 |
| 500 - 980 | Kr. 4,144 | Kr. 82,88 |
| 1000 + | Kr. 4,039 | Kr. 80,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7972
- Producentens varenummer:
- SQJ457EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SQJ | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8L | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.025Ω | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Højde | 1.14mm | |
| Bredde | 5.13 mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SQJ | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8L | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.025Ω | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Højde 1.14mm | ||
Bredde 5.13 mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Egenskaber og fordele
Anvendelsesområder
Certifikater
Relaterede links
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 36 A 60 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 210 A 80 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 66 A 80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -128 A -80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 243 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 42 A 100 V PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 98 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
