Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 36 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101 SQJ457EP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 180-7972
- Producentens varenummer:
- SQJ457EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 109,88
(ekskl. moms)
Kr. 137,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.720 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 5,494 | Kr. 109,88 |
| 100 - 180 | Kr. 4,122 | Kr. 82,44 |
| 200 - 480 | Kr. 3,632 | Kr. 72,64 |
| 500 - 980 | Kr. 3,538 | Kr. 70,76 |
| 1000 + | Kr. 3,452 | Kr. 69,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7972
- Producentens varenummer:
- SQJ457EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | SQJ | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.025Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Højde | 1.14mm | |
| Bredde | 5.13 mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8L | ||
Serie SQJ | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.025Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Højde 1.14mm | ||
Bredde 5.13 mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en P-kanal, TO-263-3 pakke, som er et nyt produkt i en alder med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 6,7 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 375 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• halogen- og blyfrit (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakter
• DC/DC primære kontakter
• Belastningskontakter
• Strømstyring
Certifikater
• AEC-Q101 kvalificeret
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 36 A 60 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 210 A 80 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101 SQJ182EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 66 A 80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101 SQJ186ELP-T1_GE3
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 42 A 100 V PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ488EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ140ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ186EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ170ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 410 A 30 V Udtømning PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ160EP-T1_GE3
